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    半導體元件物理學(下冊)
    編/著者: 施敏/伍國王玉
    出版日期:2009-04-15
    ISBN:9789868439542
    定價:600元
    參考分類(CAT):探索科技
    參考分類(CIP): 工程學總論

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    內容簡介
      這本經典的書籍在半導體元件領域中,樹立了先進的研究以及參考的標準,現在第三版的內容徹底更新並將架構重新組織,以反應元件概念以及品質上的巨大進展。第三版維持最詳細且徹底的資料在最重要的半導體元件上,使讀者立即獲得重要的元件物理知識以及詳細的元件特性,包含主要的雙載子、場效、微波、光子以及偵測元件。  非常適合作為電機、電子、物理、材料等科系大學高年級生及研究生修習半導體相關課程使用。也適合作為半導體產業工程師與科學家的參考資料,可說是半導體相關領域人員必讀的聖經。下冊重點包括穿隧元件,IMPATT二極體,轉換電子,節流器和功率元件等,適合光電產業進修使用。
    作者介紹
    施敏 教授  施敏教授獲台灣大學學士學位,美國華盛頓大學碩士學位以及美國史丹佛大學電機博士學位。1963至1989年在貝爾實驗室服務,1990 年任教於國立交通大學電子系。現任國立交通大學榮譽講座教授以及美國史丹福大學電機系顧問教授。他對半導體元件有基礎性以及前瞻性的貢獻;特別是發明了非 揮發性記憶體(包括EEPROM以及快閃記憶體)。曾發表科技論文超過200篇,以及撰寫與主編專業書籍12冊。其中所著的【半導體元件物理】 (Wiley)?近代工程和應用科學中被引用次數最多的文獻(依ISI資料超過一萬六千次)。施敏教授獲選為IEEE Fellow,中央研究院院士及美國國家工程院院士等。伍國(王玉)博士  1975年於美國羅格斯大學以及1979年於哥倫比亞大學分別獲得電機 學士與博士學位。1980年服務於AT&T的貝爾實驗室(1996年成為?訊科技的一部份),2001年服務於美商Agere公司(位於賓夕法尼 亞州的艾倫鎮),自2007年起在Semiconductor Research Corporation服務。伍博士擔任IEEE Electron Device Letters 的編輯以及IEEE Press聯絡人,為【半導體元件完全指南】第二版(Wiley)的作者。
    目次
    導論第四部份 負電阻以及功率元件第八章 穿隧元件8.1 簡介8.2 穿隧二極體8.3 其他相關的穿隧元件8.4 共振穿隧二極體第九章 衝擊離子化累增穿巡二極體9.1 簡介9.2 靜態特性9.3 動態特性9.4 功率與效率9.5 雜訊現象9.6 元件設計與性能9.7 BARITT二極體9.8 TUNNETT二極體第十章 電子轉移與真實位置空間轉換元件10.1 簡介10.2 電子轉移元件10.3 位置空間轉換元件第十一章 閘流器和功率元件11.1 簡介11.2 閘流體基本特性11.3 閘流體的種類11.4 其他功率元件第五部份 光子元件和感應器第十二章 發光二極體和雷射12.1 簡介12.2 輻射躍遷12.3 發光二極體(LED)12.4 雷射物理12.5 雷射操作特性12.6 特殊雷射第十三章 光感測器和太陽能電池13.1 簡介13.2. 光導體13.3. 光二極體13.4. 累增光二極體13.5. 光電晶體13.6. 電荷耦合元件 (CCD)13.7. 金屬-半導體-金屬 光感測器13.8. 量子井紅外線偵測器13.9. 太陽能電池第十四章 感應器14.1簡介14.2 熱感測器14.3 機械感測器14.4 磁感測器附錄符號表國際單位系統 □(□SI Units□)單位前綴詞希臘字母物理常數重要半導體的特性Si與GaAs之特性SiO2 與Si3N4 之特性索引