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    矽晶圓半導體材料技術(精)(96/12 2版)
    編/著者: 林明獻
    出版社:全華
    出版日期:2007-12-01
    ISBN:9789572160176
    參考分類(CAT):
    參考分類(CIP): 電機工程

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      | 內容簡介 |
    內容簡介
      由於矽晶圓材料是半導體工業的基礎,因此從事半導體領域之學術研究與工程人員,都必須深入的瞭解矽晶圓的基本性質與製造過程。因此本書內容上採深入淺出的方式敘述,除了介紹矽晶圓工業的歷史演進與產業現況之外,尚包含了以下單元:矽晶的基本性質、多晶矽的製造技術、單晶生長、矽晶缺陷、矽晶之加工成型、性質檢測等單元。作者將本書的重點放在矽晶圓製造流程的介紹上。適用於晶圓半導體材料技術有興趣之讀者及相關從業人員。
    目次
    1緒論2矽晶的性質第1節 結晶性質第2節 半導體物理與矽晶的電性第3節 矽的光學性質第4節 矽的熱性質第5節 矽的機械性質3多晶矽原料的生產技術第1節 塊狀多晶矽製造技術-Simens方法第2節 塊狀多晶矽製造技術-AsiMi方法第3節 粒狀多晶矽製造技術4單晶生長前言第1節 單晶生長理論第2節 CZ矽晶生長法(Czochralski Pulling)第3節 MCZ矽單晶生長法第4節 CCZ矽單晶生長法第5節 FZ矽單晶生長法第6節 矽磊晶生長技術5矽晶圓缺陷第1節 CZ矽晶的點缺陷與微缺陷第2節 氧析出物(Oxygen Precipitation)第3節 OISF(Oxidation Induced Stacking Faults)6矽晶圓之加工成型第1節 切斷(Cropping)第2節 外徑磨削 (Grinding)第3節 方位指定加工─平邊V-型槽(Flat & Notch Grinding)第4節 切片(Slicing)第5節 圓邊(Edge Profiling)第6節 研磨(Lapping)第7節 蝕刻(Etching)第8節 拋光(Polishing)第9節 清洗(Cleaning)第10節 雷射印碼(Laser Marking)第11節 矽晶圓的背面處理7矽晶圓性質之檢驗第1節 PN判定第2節 電阻量測第3節 結晶軸方向檢定第4節 氧濃度的測定第5節 Lifetime量測技術第6節 晶圓缺陷檢驗與超微量分析技術第7節 晶圓表面微粒之量測第8節 金屬雜質之量測第9節 平坦度之量測附錄A 晶格幾何學附錄B 基本常數附錄C 矽的基本性質附錄D 矽晶圓材料及半導體工業常用名詞之解釋